據報道，在日前舉辦的行業活動上，IDC韓國副總裁KimSu-gyeom預計，存儲半導體市場的下行周期將持續到2025年。

KimSu-gyeom表示，今年的市場需求較最初預期更為糟糕，預計來年三季度DRAM和NAND市場都將出現暫時反彈，不過需求增速預期將分別從此前17%、30%下修至10%、19%，其后市場將再度逐步下行，總體規模萎縮，直至2026年后迎來拐點。

TechInsights研究員JeongdongChoi在同一活動上分享了其對存儲半導體技術趨勢的判斷，他指出，三星電子的DRAM技術之前領先于其他競爭對手，但從2020年1z（15nm級）DRAM開始，三家主要存儲半導體公司的技術幾乎達到同步，“隨著DRAM密度不斷提升的嘗試，2025年將開發1c（11~12nm）DRAM，2029年左右我們將進入個位數nm級DRAM時代。”

關于NAND，Choi表示各大廠商正在開發400-500層堆疊產品，800層堆疊技術將在8-9年內發展。因此，必須引入先進的封裝工藝技術。