IGBT（insulated gate bipolar transistor），絕緣柵雙極晶體管，由雙極晶體管（BJT）和絕緣柵場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成，具有金屬氧化物半導體場效應輸入阻抗高的優點晶體管（MOSFET）和巨型晶體管（GTR）的低導通壓降。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了以上兩種器件的優點，驅動功率小，飽和電壓低。非常適用于直流電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器