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產品分類：【UTC_友順半導體】
4N80-FC 數據表 4A、800V N 溝道功率 MOSFET 描述 UTC 4N80-FC 提供出色的 R DS(ON) 、低柵極 充電和低柵極電壓操作。這個裝置是 適合用作負載開關或 PWM 應用。 特點0 * R DS(ON) ≤ 3.7 Ω @ V GS =10V，ID =2.0A * 低反向傳輸電容 * 快速切換能力 * 指定的雪崩能量 * 改進的 dv/dt 能力，高耐用性
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